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SQD40N06-14L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 8253
說明：: MOSFET 55V 40A 75W

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SQD40N06-14L-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns
上升時間：13 ns
功率耗散：75 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：34 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：52 S
下降時間：9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
漏極連續(xù)電流：40 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD40N06-14L-GE3的詳細信息，包括SQD40N06-14L-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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