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SPU30N03S2-08

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: P-TO251-3-1
數量：: 945
說明：

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SPU30N03S2-08 PDF參數資料

中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2170 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：47 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 85μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.2 毫歐 @ 30A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：30 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：Digi-Key 停止提供
包裝：OptiMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是SPU30N03S2-08的詳細信息，包括SPU30N03S2-08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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