色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SPI80N06S2L-05

SPI80N06S2L-05

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO262-3-1
數量：: 4266
說明：: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

一、本商品被瀏覽0次.

SPI80N06S2L-05 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.8 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：55V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：230nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：7530pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安裝類型：通孔

以上是SPI80N06S2L-05的詳細信息，包括SPI80N06S2L-05廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：