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SPI80N08S2-07R

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO262-3-1
數(shù)量:
 1467  
說明:
 MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
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SPI80N08S2-07R-PG-TO262-3-1圖片

SPI80N08S2-07R PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.3 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)75V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C80A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 5830pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型通孔

以上是SPI80N08S2-07R的詳細(xì)信息,包括SPI80N08S2-07R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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