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SPB80N03S2L06T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數量：: 2853
說明：: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

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SPB80N03S2L06T PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.9 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 80µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：68nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2530pF @ 25V
功率 - 最大：150W
安裝類型：表面貼裝

以上是SPB80N03S2L06T的詳細信息，包括SPB80N03S2L06T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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