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SPB80N06S08

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 6723  
說明:
 MOSFET
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SPB80N06S08-TO-263圖片

SPB80N06S08 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:54 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:53 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :73 S
下降時間:32 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):8 m Ohms
漏極連續電流:80 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
制造商:Infineon

以上是SPB80N06S08的詳細信息,包括SPB80N06S08廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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