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SPB18P06P G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263
數量:
 3560  
說明:
 MOSFET P-CH 60V 18.6A
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SPB18P06P G-TO-263圖片

SPB18P06P G PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGXT
典型關閉延遲時間:24.5 ns
工廠包裝數量:1
上升時間:5.8 ns
功率耗散:80 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.13 Ohms
漏極連續電流:18.6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPB18P06P G的詳細信息,包括SPB18P06P G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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