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SPB21N10T

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-TO263-3-2
數(shù)量：: 1224
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK

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SPB21N10T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)100V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）-
閘電荷(Qg) @ Vgs38.4nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C21A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 865pF @ 25V
功率 - 最大90W
安裝類型表面貼裝

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