色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數量：: 1827
說明：: MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V

一、本商品被瀏覽0次.

SP8M6FU6TB PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22 ns, 35 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：8 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
下降時間：5 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.051 Ohms
漏極連續(xù)電流：+/- 5 A, +/- 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是SP8M6FU6TB的詳細信息，包括SP8M6FU6TB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：