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SP8M6TB

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 909
說(shuō)明：: MOSFET

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SP8M6TB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：22 ns, 35 ns
上升時(shí)間：8 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
下降時(shí)間：5 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOP-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.051 Ohms
漏極連續(xù)電流：+/- 5 A, +/- 3.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N and P-Channel
制造商：ROHM Semiconductor

以上是SP8M6TB的詳細(xì)信息，包括SP8M6TB廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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