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SIS892DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數量：: 3393
說明：: MOSFET 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V

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SIS892DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIS892DN-GE3
功率耗散：52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：14.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：22 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：29 mOhms
漏極連續電流：30 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS892DN-T1-GE3的詳細信息，包括SIS892DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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