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SISA10DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數量：: 9294
說明：: MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

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SISA10DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SISA10DN-GE3
功率耗散：39 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.7 mOhms at 10 V
漏極連續電流：30 A
閘/源擊穿電壓：2.2 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SISA10DN-T1-GE3的詳細信息，包括SISA10DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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