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SIS456DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 3366
說明：: MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET

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SIS456DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIS456DN-GE3
功率耗散：2 W, 3.8 W, 33 W, 52 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：36 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：75 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0042 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIS456DN-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIS456DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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