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SIS456DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數(shù)量:
 3366  
說明:
 MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
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SIS456DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SIS456DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIS456DN-GE3
功率耗散:2 W, 3.8 W, 33 W, 52 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:36 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :75 S
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0042 Ohms
漏極連續(xù)電流:35 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SIS456DN-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIS456DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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