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SIS478DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數量：: 8865
說明：: MOSFET 30V 12A N-CH MOSFET

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SIS478DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIS478DN-GE3
功率耗散：15.6 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：20 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.016 Ohms
漏極連續電流：12 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIS478DN-T1-GE3的詳細信息，包括SIS478DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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