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SIS426DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數(shù)量：: 3312
說明：: MOSFET 20V 35A 52W 4.2mohm @ 10V

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SIS426DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SIS426DN-GE3
典型關閉延遲時間：29 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：13 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：50 S
下降時間：17 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0046 Ohms
漏極連續(xù)電流：35 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS426DN-T1-GE3的詳細信息，包括SIS426DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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