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中文參數(shù)如下:
零件號別名:SIR640DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:50 nS
上升時間:11 nS
功率耗散:104 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:34.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :110 S
下降時間:10 nS
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.7 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay
以上是SIR640DP-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIR640DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!