色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SIHP18N50C-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 3238  
說明:
 MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SIHP18N50C-E3-TO-220-3圖片

SIHP18N50C-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:32 ns
上升時間:27 ns
功率耗散:223 W
柵極電荷 Qg:65 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :6.4 S
下降時間:44 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.225 Ohms
漏極連續電流:18 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP18N50C-E3的詳細信息,包括SIHP18N50C-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 盘锦市| 济南市| 阿克陶县| 通道| 樟树市| 广西| 新平| 铜鼓县| 白玉县| 延庆县| 阳江市| 伊吾县| 韩城市| 岳池县| 融水| 乌拉特后旗| 万宁市| 濉溪县| 太和县| 五指山市| 九龙县| 晋州市| 弋阳县| 乐业县| 靖州| 龙陵县| 临潭县| 策勒县| 永仁县| 东乡| 夏津县| 金溪县| 建水县| 綦江县| 新昌县| 江西省| 延庆县| 西城区| 湖北省| 探索| 鹿邑县|