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SIHP33N60E-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-220-3
數量:
 5886  
說明:
 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
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SIHP33N60E-GE3-TO-220-3圖片

SIHP33N60E-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:150 ns
商標名:E-Series
上升時間:90 ns
功率耗散:278 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:150 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時間:80 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-220AB-3
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):99 mOhms at 10 V
漏極連續電流:33 A
閘/源擊穿電壓:4 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHP33N60E-GE3的詳細信息,包括SIHP33N60E-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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