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SIHG16N50C-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247AC
數量：: 6300
說明：: MOSFET N-Channel 500V

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SIHG16N50C-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：29 nS
上升時間：156 nS
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：68 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：3 S
下降時間：31 nS
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AC-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.38 Ohms at 10 V
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG16N50C-E3的詳細信息，包括SIHG16N50C-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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