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SIHG20N50C-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 10351
說(shuō)明：: MOSFET 560V 20A 292W 270mohm @ 10V

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SIHG20N50C-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：32 ns
上升時(shí)間：27 ns
功率耗散：292 W
柵極電荷 Qg：65 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6.4 S
下降時(shí)間：44 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.225 Ohms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG20N50C-E3的詳細(xì)信息，包括SIHG20N50C-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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