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SIHB16N50C-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 7241  
說明:
 MOSFET N-Channel 500V
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SIHB16N50C-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:29 nS
上升時間:156 nS
功率耗散:38 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:68 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :3 S
下降時間:31 nS
封裝形式:TO-263
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.38 Ohms at 10 V
漏極連續電流:16 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB16N50C-E3的詳細信息,包括SIHB16N50C-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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