色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SIHB30N60E-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 D2PAK(TO-263)
數量:
 4554  
說明:
 MOSFET N-Channel 600V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
SIHB30N60E-E3-D2PAK(TO-263)圖片

SIHB30N60E-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

功率耗散:250 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:85 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :5.4 S
包裝形式:Tube
封裝形式:D2PAK-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):125 mOhms
漏極連續電流:29 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB30N60E-E3的詳細信息,包括SIHB30N60E-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 宜丰县| 淮南市| 齐河县| 杭州市| 喜德县| 江阴市| 巫山县| 扶沟县| 开化县| 内丘县| 闽清县| 云和县| 兰西县| 荔波县| 和顺县| 道孚县| 庄浪县| 海城市| 绥芬河市| 兴和县| 平潭县| 沭阳县| 故城县| 玛多县| 桦川县| 乌海市| 右玉县| 北碚区| 中阳县| 辉县市| 辰溪县| 洪泽县| 乌鲁木齐县| 玛纳斯县| 阜康市| 浑源县| 文成县| 璧山县| 澄迈县| 朝阳市| 克拉玛依市|