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SIHB12N50C-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 D2PAK（TO-263）
數量：
 6255  
說明：
 MOSFET N-Channel 500V
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SIHB12N50C-E3-D2PAK（TO-263）圖片

SIHB12N50C-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：208 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：3 S
包裝形式：Bulk
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.46 Ohms
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIHB12N50C-E3的詳細信息，包括SIHB12N50C-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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