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SIA915DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量:
 3348  
說明:
 MOSFET 30V 4.5A 6.5W 87mOhms @ 10V
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SIA915DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA915DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SIA915DJ-GE3
功率耗散:6.5 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.087 Ohms at - 10 V
漏極連續電流:- 4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA915DJ-T1-GE3的詳細信息,包括SIA915DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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