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SIA920DJ-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：
 3375  
說明：
 MOSFET 8V 4.5A 7.8W 27mOhms @ 4.5V
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SIA920DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6 雙圖片

SIA920DJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA920DJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.022 Ohms at 4.5 V
漏極連續電流：4.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA920DJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA920DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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