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SIA519EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 1602
說明：: MOSFET 20V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET

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SIA519EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIA519EDJ-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：7.7 nC, 10.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：7 S, 12 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.032 Ohms, 0.074 Ohms
漏極連續電流：+/- 4.5 A
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIA519EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA519EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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