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SIA777EDJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6 雙
數量：: 8118
說明：: MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L

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SIA777EDJ-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：N 和 P 溝道
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：225 毫歐 @ 1.6A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V, 12V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.5A, 4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2.2nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：5W, 7.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是SIA777EDJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA777EDJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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