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SIA449DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 3024
說明：: MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III

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SIA449DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：39 ns
商標(biāo)名：PowerPAK, TrenchFET
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：19 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：72 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：31 S
下降時(shí)間：16 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：20 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：- 12 A
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA449DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIA449DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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