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SIA444DJT-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量：: 5985
說明：: MOSFET N-Channel 30 V (D-S)

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SIA444DJT-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SIA444DJT-GE3
功率耗散：19 W
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：24 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SC-70
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.017 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIA444DJT-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SIA444DJT-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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