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SIA418DJ-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? SC-70-6
數(shù)量:
 2817  
說明:
 MOSFET 30V 12A 19W 18mohm @ 10V
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SIA418DJ-T1-GE3-PowerPAK? SC-70-6圖片

SIA418DJ-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SIA418DJ-GE3
功率耗散:19 W
包裝形式:Reel
封裝形式:SC-70-6L
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.018 Ohms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:2.4 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIA418DJ-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SIA418DJ-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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