色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SC-70-6
數量：: 1359
說明：: MOSFET 8.0V 12A 19W 23mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SIA417DJ-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SIA417DJ-GE3
典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：25 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：23 S
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SC-70-6L
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：23 mOhms
漏極連續電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA417DJ-T1-GE3的詳細信息，包括SIA417DJ-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：