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SI8806DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA
數(shù)量：: 6399
說明：: MOSFET 12V 3.9A 0.9W 4.3mOhms @ 4.5V

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SI8806DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：30 ns
商標名：MICROFOOT TrenchFET
上升時間：20 ns
功率耗散：0.3 W to 0.9 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6.5 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：16 S
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-1
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.035 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.7 A
閘/源擊穿電壓：8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8806DB-T2-E1的詳細信息，包括SI8806DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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