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SI8812DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-UFBGA
數量:
 9426  
說明:
 MOSFET 20V 3.2A 0.9W 0.059ohms @ 4.5V
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SI8812DB-T2-E1-4-UFBGA圖片

SI8812DB-T2-E1 PDF參數資料

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中文參數如下:

商標名:Micro Foot
功率耗散:0.9 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:6.3 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12 S
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.59 Ohms at 4.5 V
漏極連續電流:3.2 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8812DB-T2-E1的詳細信息,包括SI8812DB-T2-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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