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SI4842DY-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SOIC-8 Narrow
數量：
 5715  
說明：
 MOSFET 30V 23A 3.5W
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SI4842DY-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：65 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：1.6 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：35 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：4.5 mOhms
漏極連續電流：23 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4842DY-E3的詳細信息，包括SI4842DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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