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SI4532CDY-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 8-SOIC
數(shù)量：
 7191  
說(shuō)明：
 MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
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SI4532CDY-T1-GE3-8-SOIC圖片

SI4532CDY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4532CDY-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：14 nS, 17 nS
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：12 nS, 13 nS
功率耗散：2.78 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：6 nC, 7.8 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：7 S, 7 S
下降時(shí)間：6 nS, 7.7 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.047 Ohms at 10 V, 0.089 Ohms at - 10 V
漏極連續(xù)電流：6 A, - 4.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4532CDY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4532CDY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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