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SI4539DY_Q

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 4266  
說明:
 MOSFET SO8 COMP
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SI4539DY_Q-SOIC-8 Narrow圖片

SI4539DY_Q PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:23 ns, 90 ns
上升時間:14 ns, 10 ns
功率耗散:2 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :7 S, 5 S
下降時間:9 ns, 55 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.053 Ohms
漏極連續電流:7 A, - 5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:+/- 30 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SI4539DY_Q的詳細信息,包括SI4539DY_Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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