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SI4466DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 6894
說明：: MOSFET 20V 13.5A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V

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SI4466DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4466DY-GE3
典型關閉延遲時間：150 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：15 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9 mOhms
漏極連續(xù)電流：9.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4466DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4466DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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