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SI4435DYPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數量:
 3861  
說明:
 MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
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SI4435DYPBF-8-SOIC(0.154

SI4435DYPBF PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:130 ns
工廠包裝數量:95
上升時間:17 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:40 nC
下降時間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.02 Ohms
漏極連續電流:- 8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是SI4435DYPBF的詳細信息,包括SI4435DYPBF廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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