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SI4435DYTRPBF

廠家:
  International Rectifier
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 20711  
說明:
 MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
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SI4435DYTRPBF-8-SOIC(0.154

SI4435DYTRPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:130 ns
工廠包裝數(shù)量:4000
上升時間:76 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:40 nC
下降時間:90 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):35 mOhms
漏極連續(xù)電流:- 8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是SI4435DYTRPBF的詳細(xì)信息,包括SI4435DYTRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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