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SI4435DYTRPBF

廠家：: International Rectifier
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 20711
說明：: MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

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SI4435DYTRPBF PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：130 ns
工廠包裝數(shù)量：4000
上升時間：76 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：40 nC
下降時間：90 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：35 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 8 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

以上是SI4435DYTRPBF的詳細(xì)信息，包括SI4435DYTRPBF廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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