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SI4435BDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 3519
說明：: MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V

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SI4435BDY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI4435BDY-GE3
典型關閉延遲時間：110 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：15 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 mOhms
漏極連續電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4435BDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4435BDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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