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SI3481DV-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSOP
數量:
 3411  
說明:
 MOSFET 30V 5.3A 2.0W 48mohm @ 10V
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SI3481DV-T1-GE3-6-TSOP圖片

SI3481DV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI3481DV-GE3
功率耗散:1.14 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.048 Ohms
漏極連續電流:4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3481DV-T1-GE3的詳細信息,包括SI3481DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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