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SI1405BDH-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SC-70-6
數量：: 5940
說明：: MOSFET P-CH 8V SC-70-6

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SI1405BDH-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：112 毫歐 @ 2.8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：8V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：1.6A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：5.5nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：305pF @ 4V
功率 - 最大：2.27W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI1405BDH-T1-GE3的詳細信息，包括SI1405BDH-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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