中文參數如下： 工廠包裝數量：30 安裝風格：Through Hole 最小工作溫度：- 55 C 集電極最大連續電流 Ic：24 A 包裝形式：Tube 封裝形式：TO-3P-3 最大工作溫度：+ 150 C 功率耗散：180 W 柵極—射極漏泄電流：100 uA 柵極/發射極最大電壓：+/- 25 V 集電極—射極飽和電壓：2.3 V 集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V 配置：Single RoHS：是 產品種類：IGBT 晶體管 制造商：Fairchild Semiconductor
