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SGH20N120RUFDTU

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-3P-3
數(shù)量：: 5814
說明：: IGBT 晶體管

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SGH20N120RUFDTU PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：30
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續(xù)電流 Ic：32 A
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P-3
最大工作溫度：+ 150 C
功率耗散：230 W
柵極—射極漏泄電流：100 uA
在25 C的連續(xù)集電極電流：32 A
柵極/發(fā)射極最大電壓：+/- 25 V
集電極—射極飽和電壓：2.3 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
產(chǎn)品種類：IGBT 晶體管
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是SGH20N120RUFDTU的詳細信息，包括SGH20N120RUFDTU廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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