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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:2A
Id 時的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :770pF @ 6V
功率 - 最大:700mW
安裝類型:表面貼裝
以上是RW1A020ZPT2R的詳細(xì)信息,包括RW1A020ZPT2R廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!