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RW1C020UNT2R

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 6-SMD，扁平引線
數量：: 4014
說明：: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

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RW1C020UNT2R PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫歐 @ 2A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：2nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：180pF @ 10V
功率 - 最大：700mW
安裝類型：表面貼裝

以上是RW1C020UNT2R的詳細信息，包括RW1C020UNT2R廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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