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R1EV5801MBTDRDI#B0

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: 32-TSOP I
數(shù)量：: 3456
說明：: IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I

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R1EV5801MBTDRDI#B0 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：32-TSOP I
封裝/外殼：32-TFSOP（0.488"，12.40mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 5.5V
訪問時(shí)間：150 ns
寫周期時(shí)間 - 字，頁：10ms
時(shí)鐘頻率：-
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
存儲(chǔ)器組織：128K x 8
存儲(chǔ)容量：1Mb
技術(shù)：EEPROM
存儲(chǔ)器格式：EEPROM
存儲(chǔ)器類型：非易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：R1EV5801MB
系列：托盤
品牌：Renesas Electronics America Inc

以上是R1EV5801MBTDRDI#B0的詳細(xì)信息，包括R1EV5801MBTDRDI#B0廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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