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R1EV58064BDARBI#B2

廠家：: Renesas Electronics America Inc
封裝：: 28-DIP
數(shù)量：: 3483
說(shuō)明：: IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP

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R1EV58064BDARBI#B2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：28-DIP
封裝/外殼：28-DIP（0.600"，15.24mm）
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
電壓 - 供電：2.7V ~ 5.5V
訪問(wèn)時(shí)間：100 ns
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：10ms
時(shí)鐘頻率：-
存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
存儲(chǔ)器組織：8K x 8
存儲(chǔ)容量：64Kb
技術(shù)：EEPROM
存儲(chǔ)器格式：EEPROM
存儲(chǔ)器類型：非易失
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：R1EV58064BxxR
系列：托盤
品牌：Renesas Electronics America Inc

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