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QSZ4TR

廠家：: ROHM Semiconductor
封裝：: TSMT5
數(shù)量：: 8181
說明：: 兩極晶體管 - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP

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QSZ4TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
認(rèn)證機(jī)構(gòu)：
封裝封裝/外殼：SOT-23-5 細(xì)型，TSOT-23-5
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：280MHz
功率 - 最大值：500mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 200mA，2V
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：370mV @ 75mA，1.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2A
晶體管類型：NPN，PNP（耦合發(fā)射器）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是QSZ4TR的詳細(xì)信息，包括QSZ4TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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