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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：12 ns
功率耗散：1.25 W
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSMT-5
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：215 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 1.5 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是QS6J3TR的詳細信息，包括QS6J3TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
